基本參數(shù)

1、刻蝕尺寸：4吋及以下；

2、刻蝕材料：單晶硅、多晶硅、SiO2、Si3N4、GaN、GaAs等；

3、刻蝕速率：0.2~0.9μm/min；

4、刻蝕距離調(diào)節(jié)：10mm~ 60mm；

5、操作方式：半自動控制方式；

6、系統(tǒng)總控：人機界面及控制程序；

7、電源：220VAC/50Hz，9KW；

8、機器重量：600kg；

9、機器尺寸:  D810mm× W1520mm×H1550mm。

電源及刻蝕反應室

1、電源：13.56MHz，0.5KW；

2、反應室：單室，上蓋啟閉，操作方便；

3、反應室規(guī)格：Φ300′110mm；

4、真空度：≤2×10-4 Pa(腔體充分烘烤除氣，去濕后)；

5、抽氣時間：系統(tǒng)充干燥 N2解除真空后短時暴露，大氣壓~ 5×10-3 Pa 時間≤ 30min。

真空測量系統(tǒng)及氣體配置

1、真空計：數(shù)顯復合真空計 1套，測量低真空和高真空；

2、供氣接口：N2、O2 、CF4、CHF3、SF6以及壓縮空氣，進氣壓力 0.4～0.6Mpa，工藝氣體純度為：99.999﹪

冷卻系統(tǒng)

1、配備冷卻水循環(huán)系統(tǒng)；

2、保護系統(tǒng)：對泵、電極等缺水等異常情況進行報警并執(zhí)行相應保護。