基本參數(shù)

1、淀積尺寸：6吋及以下；

2、淀積材料：SiO2、Si3N4、非晶硅、碳化硅等；

3、加熱溫度：≤300℃；

4、淀積速率：200～300 A°/min；

5、淀積不均勻度：≤±5%；

6、操作方式：半自動控制方式；

7、系統(tǒng)總控：人機界面及控制程序；

8、電源：220VAC/50Hz，9KW；

9、機器重量：400kg；

10、機器尺寸：D810mm× W1220mm×H1830mm。

電源及沉積室

1、射頻電源：13.56MHz，功率1.0KW；

2、沉積室規(guī)格：單室，Φ400x150mm，不銹鋼材質(zhì)，開門結(jié)構(gòu)；

3、真空度：經(jīng)烘烤除氣后≥3.0×10-5 Pa；

4、抽氣時間：大氣壓 ~ 5*10-4 Pa≤35min。

測量系統(tǒng)

1、真空計：數(shù)顯復合真空計1套，測量低真空和高真空；

2、帶四路質(zhì)量/流量控制器。

冷卻系統(tǒng)

1、配備冷卻水循環(huán)系統(tǒng)：水冷機設(shè)有水流報警系統(tǒng)；

2、保護系統(tǒng)：對水壓低等情況進行報警并執(zhí)行相應保護。